ORIENTAL SEMI
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详细介绍
东微半导体成立于2008年，注册资本9432.6914万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新。
2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。2022年2月10日，东微半导体登陆上海证券交易所科创板上市，证券代码：688261。
产品系：
高压GreenMOS系列
为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，最高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。
中低压SGTMOS系列
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
IGBT
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
SiC devices
第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。
目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。
Hybrid-FET
Hybrid-FET器件采用全新的器件结构和电流动态调整技术，结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域和更高的产品稳定性。
高压GreenMOS系列
为适应电源系统高效率小型化的需求，东微半导体推出了新型的GreenMOS系列高压MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡，不仅可以大大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统EMI设计。GreenMOS系列产品涵盖500V-900V全系列，提供高达100A静态电流的规格，最高工作频率达到2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。
中低压SGTMOS系列
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
IGBT
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
SiC devices
第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，相继研发了并联SiC的IGBT及宽禁带场效应晶体管。
目前量产的并联SiC二极管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，适合在追求极限效率的系统中使用，支持80-100kHz的高速开关和图腾柱无桥PFC应用。
Hybrid-FET
Hybrid-FET器件采用全新的器件结构和电流动态调整技术，结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域和更高的产品稳定性。